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申请/专利权人：无锡旷通半导体有限公司
摘要：本申请公开了一种具有多层外延堆叠的IGBT结构，包括衬底层，所述衬底层上制备有若干层外延层，每层所述外延层内均注入推进有P型区，若干所述P型区沿竖直排布形成柱形结构。本申请通过堆叠技术，将器件的过电流密度提升至450Acm2，并通过柱形结构增加器件的耗尽能力、加速器件的关断，从而实现器件高频领域的高速且低损耗的开关。
主权项：1.一种具有多层外延堆叠的IGBT结构，其特征在于：包括衬底层，所述衬底层上制备有若干层外延层，每层所述外延层内均注入推进有P型区，若干所述P型区沿竖直排布形成柱形结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 无锡旷通半导体有限公司 一种具有多层外延堆叠的IGBT结构
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