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申请/专利权人：康庞泰克私人有限公司
摘要：本实用新型涉及一种硅光子集成芯片PIC器件，其包括绝缘体上硅SOI衬底11、光波导、悬置的边缘耦合器12和保护膜13。该SOI衬底11用作制造器件的平台。光波导设置在SOI衬底11上以引导光波。悬置的边缘耦合器12在波导与光纤之间耦合光波。保护膜13保护器件10免受任何外部环境条件的影响。
主权项：1.一种硅光子集成芯片器件10，其包括：a绝缘体上硅SOI衬底11，其用作制造所述器件10的平台；b设置在所述SOI衬底上以用于引导光波的至少一个光波导，其中一个或更多个器件组件是在所述SOI衬底11或所述光波导上制造的；c悬置的边缘耦合器12，用于在所述光波导与光纤之间耦合所述光波；和d至少一层保护膜13，其保护所述器件10免受一种或更多种外部环境条件的影响，其特征在于：-所述悬置的边缘耦合器12包括至少一个边缘刻面12a、沟槽12b和或侧腔12c，和-所述保护膜13覆盖所述边缘刻面12a、沟槽12b和或侧腔12c的暴露表面，使得所述保护膜13的剖面与所述边缘刻面12a、沟槽12b和或侧腔12c的所述暴露表面14吻合。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 康庞泰克私人有限公司 硅光子集成芯片器件
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