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一种可以温度调制的提拉法晶体生长装置 

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申请/专利权人:重庆工业职业技术学院

摘要:本实用新型公开了一种可以温度调制的提拉法晶体生长装置,包括籽晶轴转动机构、坩埚、加热器、保温罩、坩埚轴、炉体、第一温度传感器和第二温度传感器,坩埚、加热器和保温罩内至外依次位于所述炉体内侧,所述籽晶轴转动机构一端伸入所述坩埚内,坩埚轴连接在所述坩埚的底部,第一温度传感器用于测量晶体棒的温度,第二温度传感器用于测量坩埚壁的温度上。本实用新型的有益效果是,通过将第一温度传感器测量晶体棒的温度,第二温度传感器用于测量坩埚的炉壁温度,方便根据坩埚壁面和晶体棒温度差的大小,来选择加热器的加热波形、加热频率、幅值,抑制溶液内的热毛细对流的产生,抑制晶体生长条纹和裂缝,从而提高晶体生长质量,并减少能耗。

主权项:1.一种可以温度调制的提拉法晶体生长装置,其特征在于,包括籽晶轴转动机构(1)、坩埚(5)、加热器(6)、保温罩(7)、坩埚轴(8)、炉体(9)、第一温度传感器(11)、第二温度传感器(10)和动态温度调制系统(12),所述坩埚(5)、加热器(6)和保温罩(7)内至外依次位于所述炉体(9)内侧,所述籽晶轴转动机构(1)一端伸入所述坩埚(5)内,所述坩埚轴(8)连接在所述坩埚(5)的底部,所述第一温度传感器(11)用于测量提拉时形成的晶体棒(4)的温度,所述第二温度传感器(10)用于测量坩埚(5)的炉壁温度,所述加热器(6)、第一温度传感器(11)和第二温度传感器(10)分别与动态温度调制系统(12)电连接。

全文数据:

权利要求:

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