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申请/专利权人：上海韦尔半导体股份有限公司
摘要：本发明实施例提供了一种新型快恢复二极管的制备方法及快恢复二极管，本申请实施例采用一种具有肖特基接触和不增加光刻步骤的情况下制作出高浓度第二掺杂类型的阱区和第二掺杂类型的第二注入区，同时通过在沟槽填充第二掺杂类型的多晶硅，经过扩散工艺达到较大深宽比的第二掺杂类型的阱区，从而在相同有源区的面积下，可使肖特基接触比例增大，得到的高电流密度以降低恢复时间，实现具有半超结结构和高电流密度的低正向，超快恢复特性的快恢复二极管。
主权项：1.一种具有低正向和超快恢复特性的快恢复二极管的制备方法，其特征在于，包括：在所述衬底正面的保护环区和有源区形成间隔设置的厚氧化层，其中，所述衬底为第一掺杂类型；在所述有源区的厚氧化层之间区域对应的衬底中刻蚀沟槽；在所述有源区的沟槽中和保护环区的衬底正面沉积第二掺杂类型的多晶硅，所述保护环区的多晶硅间隔设置；在所述沟槽侧壁形成第二掺杂类型的阱区；在所述保护环区形成具有第一掺杂类型的第一注入区；在所述保护环区沉积间隔设置的介质层；在所述沟槽之间和所述保护环区形成具有第二掺杂类型的第二注入区，所述第二注入区设置在保护环区衬底正面无多晶硅，介质层和厚氧化层对应的衬底中，所述第二注入区的掺杂浓度小于阱区的掺杂浓度；在所述衬底正面沉积第一金属层，并对所述第一金属层进行光刻和刻蚀以便在所述保护环区的第一金属层间隔设置；在所述保护环区的第一金属层之间及上方形成钝化层；在所述衬底背面沉积第二金属层。
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百度查询： 上海韦尔半导体股份有限公司 一种新型快恢复二极管的制备方法及快恢复二极管
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