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申请/专利权人：英特尔公司
摘要：在一个实施例中，光子集成电路PIC装置包括PIC的表面上的导电焊盘和微环谐振器MRR,其中加热器元件位于导电焊盘之间的中心位置。PIC还包括在MRR下方限定在PIC的衬底内的腔，以及限定在MRR和导电焊盘之间的多个孔。所述孔从PIC的顶部表面延伸到腔中，并且每个孔位于相应的导电焊盘和MRR之间。
主权项：1.一种设备，包括：衬底；所述衬底上的一个或多个电介质层；所述电介质上的第一导电焊盘；所述电介质上的第二导电焊盘；在所述电介质中的一个电介质中的光学电路元件，所述光学电路元件在所述第一导电焊盘和所述第二导电焊盘之间；在所述光学电路元件下方限定在所述衬底内的腔；限定穿过所述电介质并进入所述腔中的第一孔，所述第一孔在所述第一导电焊盘和所述光学电路元件之间形成；以及限定穿过所述电介质并进入所述腔中的第二孔，所述第二孔在所述第二导电焊盘和所述光学电路元件之间形成。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英特尔公司 用于光子集成电路（PIC）架构中用于改进热效率的底切架构
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