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申请/专利权人：艾克斯特朗欧洲公司
摘要：本发明涉及一种用于同时在多个基材1上分别沉积层的方法，其中，由进气机构3提供的第一气体流Q1在CVD反应室的处理室2内被混入补充气体流QE，该补充气体流QE从气体流出开口6流动至处理室2中。补充气体流QE由馈入容腔14中的第二气体流Q2和第三气体流Q3组成，该第三气体流在空间上与气体流出开口6邻近地通过流入开口16馈入容腔14中。气体流出开口6在空间上对应配属于多个支承位置4中的每个支承位置，能单独地调节的补充气体流QE能够通过该气体流出开口流经基材1。
主权项：1.一种用于同时在多个基材1上分别沉积层的方法，其中，通过布置在CVD反应器的处理室2中的进气机构3将第一气体流Q1馈入处理室2中，其中，在所述进气机构3的下游分别布置一个或多个承载基材的支承位置4，第一气体流Q1沿着第一流动方向S1流经所述支承位置，其中，通过气体流出通道11将影响层组成、层生长或掺杂剂掺入量的补充气体流QE馈入处理室2中，所述气体流出通道通过气体流出开口6、6'通入处理室2中，所述补充气体流至少流经对应配属于所述补充气体流的支承位置4的选择的区域，并且所述补充气体流的组成借助质量流调控器20单独地针对每个支承位置4进行调节，其特征在于，所述气体流出开口6、6'从共同的容腔14发源，第二气体流Q2通过输入管路21馈入所述容腔中，所述第二气体流被分配至多个气体流出通道11，并且能够单独地调节的第三气体流Q3在空间上与每个气体流出通道11邻近地通过气体流入开口16馈入所述容腔中，其中，能够通过调控器20调节的第三气体流Q3与分配后的第二气体流Q2中的一个第二气体流混合以分别形成补充气体流QE。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 艾克斯特朗欧洲公司 用于同时在多个基材上沉积层的装置
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