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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：提供集成电路器件，包括：源线，所述源线在基板上在第一水平方向上延伸；沟道层，所述沟道层在竖直方向上延伸，设置在所述源线上，并具有第一侧壁和第二侧壁；俘获层，所述俘获层在所述沟道层的第一侧壁上并包括氧化物半导体；字线，所述字线在所述俘获层的至少一个侧壁上并在与所述第一水平方向交叉的第二水平方向上延伸；栅绝缘层，所述栅绝缘层在所述俘获层的至少一个侧壁与所述字线之间；以及位线，所述位线与所述沟道层电连接并在所述第一水平方向上延伸，其中所述沟道层具有第一带隙能，和所述俘获层具有大于所述第一带隙能的第二带隙能。
主权项：1.集成电路器件，包括：源线，所述源线在基板上在第一水平方向上延伸；沟道层，所述沟道层在垂直于所述基板的顶表面的竖直方向上延伸，所述沟道层在所述源线上并具有第一侧壁和第二侧壁；俘获层，所述俘获层在所述沟道层的第一侧壁上并包括氧化物半导体；字线，所述字线在所述俘获层的至少一个侧壁上并在与所述第一水平方向交叉的第二水平方向上延伸；栅绝缘层，所述栅绝缘层在所述俘获层的至少一个侧壁与所述字线之间；以及位线，所述位线与所述沟道层电连接并在所述第一水平方向上延伸，其中所述沟道层具有第一带隙能，和所述俘获层具有大于所述第一带隙能的第二带隙能。
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