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申请/专利权人：山西高科华烨电子集团有限公司
摘要：本发明公开了一种MicroMIP器件制成方法，该方法包括以下步骤：S1.将含有LED芯片的COW与临时载板键合并进行激光剥离；S2.进行三色芯片的巨量转移，将三色芯片按照矩阵排列转移到同一载板上；S3.准备一块钢化玻璃，并在其单面进行胶水涂布；S4.在钢化玻璃表面按照矩阵排列进行金属走线和金属焊盘的沉积；S5.通过巨量焊接技术将芯片载板与已制备线路的钢化玻璃焊接；S6.通过激光剥离技术剥离芯片的载板；S7.对钢化玻璃上的结构进行封装；S8.通过隐切方式对MicroMIP器件进行切割；通过本发明的制成技术，可以制备出MicroLED显示屏所需的MicroMIP器件，解决MicroMIP制成周期长、难以实现量产全自动的问题。本发明的制成方法简单高效。
主权项：1.一种MicroMIP器件制成方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：S1.将含有LED芯片的COW与临时载板键合并进行激光剥离；S2.进行三色芯片的巨量转移，将三色芯片按照矩阵排列转移到同一载板上；S3.准备一块钢化玻璃，并在其单面进行胶水涂布；S4.在钢化玻璃表面按照矩阵排列进行金属走线和金属焊盘的沉积；S5.通过巨量焊接技术将芯片载板与已制备线路的钢化玻璃焊接；S6.通过激光剥离技术剥离芯片的载板；S7.对钢化玻璃上的结构进行封装；S8.通过隐切方式对MicroMIP器件进行切割；S9.通过激光剥离方式将单个MicroMIP器件从钢化玻璃上分离。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 山西高科华烨电子集团有限公司 一种Micro MIP器件制成方法
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