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一种具有高(002)晶面暴露比镁纳米片阵列的制备方法及应用 

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申请/专利权人:西北工业大学

摘要:本发明提供了一种具有高002晶面暴露比镁纳米片阵列的制备方法及应用,属于金属二次电池技术领域。制备方法包括以下步骤:步骤1,配置摩尔浓度为0.001‑0.1molL的酸溶液;步骤2,将金属镁箔置于步骤1得到的酸溶液中,浸泡时间为1‑60min;步骤3,将步骤2得到的金属镁箔取出,冲洗后进行真空烘干处理,得到具有高002晶面暴露比和表面纳米片阵列结构的金属镁箔。本发明采用酸性溶液对金属镁箔进行刻蚀处理,其中具有高晶面活性的101和100晶面会优先与氢离子反应,最终在金属镁表面形成具有高002晶面暴露比的纳米片阵列结构。本发明提出的制备方法操作简单,成本低,能实现规模化生产,对镁电池的发展具有重要意义。

主权项:1.一种具有高002晶面暴露比镁纳米片阵列的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1,配置摩尔浓度为0.001-0.1molL的酸溶液;步骤2,将金属镁箔置于步骤1得到的酸溶液中,浸泡时间为1-60min;步骤3,将步骤2得到的金属镁箔取出,冲洗后进行真空烘干处理,得到具有高002晶面暴露比和表面纳米片阵列结构的金属镁箔。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 西北工业大学 一种具有高(002)晶面暴露比镁纳米片阵列的制备方法及应用

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