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申请/专利权人：无锡邑文微电子科技股份有限公司;江苏邑文微电子科技有限公司

摘要：本发明公开了一种有利于均匀沉积的半导体晶圆薄膜气相沉积装置，属于薄膜沉积设备技术领域，其包括：沉积腔，为具有预设沉积空间的载体；内轴，竖直转动连接在所述沉积腔的中心，所述内轴上位于沉积腔内套设有行星齿轮组；驱动部，安装在所述沉积腔的下方；供气装置，设置在沉积腔中心的上方；送气单元，设置在所述沉积腔内位于内轴的上方，所述供气装置与所述送气单元相连通，并通过所述送气单元将反应气体输送至沉积腔内；排气通道，设置在沉积腔的一侧并与所述沉积腔相连通；本发明能够采用三个阶段沉积方式提高沉积效率，保证均匀沉积。

主权项：1.一种有利于均匀沉积的半导体晶圆薄膜气相沉积装置，其特征在于，其包括：沉积腔（1），为具有预设沉积空间的载体；内轴（11），竖直转动连接在所述沉积腔（1）的中心，所述内轴（11）上位于沉积腔（1）内套设有行星齿轮组（12），所述行星齿轮组（12）中的各旋转的太阳齿上均同轴固定有静电吸盘（13），用于对晶圆吸附固定；驱动部（14），安装在所述沉积腔（1）的下方，所述内轴（11）上套设有齿轮，所述驱动部（14）的输出端通过齿轮啮合作用与所述内轴（11）连接传动；供气装置（2），设置在沉积腔（1）中心的上方，所述供气装置（2）的上端密封连接有导气座（15），所述导气座（15）通过外接管与外设气泵相接通；送气单元（3），设置在所述沉积腔（1）内位于内轴（11）的上方，所述供气装置（2）与所述送气单元（3）相连通，并通过所述送气单元（3）将反应气体输送至沉积腔（1）内；排气通道（16），设置在沉积腔（1）的一侧并与所述沉积腔（1）相连通；所述送气单元（3）包括：定位盘（31），其内部设置有两个独立送气通道，所述定位盘（31）滑动连接在沉积腔（1）中；导气组，圆周分布在所述定位盘（31）的下方，并与定位盘（31）中的一个送气通道相接通，所述导气组由多个线性排布的喷头单元（4）构成，所述喷头单元（4）均独立调节设置，并具备斜气道（44）与直流气道（46）；导气微孔（32），均匀分布在所述定位盘（31）上，所述导气微孔（32）与定位盘（31）中的另一送气通道相接通；所述内轴（11）中开设有内腔，所述内腔的下方连接有排气管，所述内轴（11）上端圆周分布有多个与所述内腔相接通的排孔；所述送气单元（3）在晶圆沉积第一阶段中，各所述导气组中处于边缘位置的喷头单元（4）能够根据晶圆规格相对应的打开，并通过斜气道（44）对处于旋转中的晶圆表面倾斜输送反应气体，同时处于中心位置的喷头单元（4）通过直流气道（46）向晶圆表面垂直输送反应气体，反应气体通过内轴（11）上的排孔向中心聚集排出，此时反应气体快速沉积的晶圆表面的台阶区域；而送气单元（3）在晶圆沉积第二阶段中，通过检视晶圆表面沉积状态，送气单元（3）中的各喷头单元（4）相对应的打开并配合导气微孔（32）进行反应气体补送，从而对静置状态的晶圆表面二次沉积；送气单元（3）在晶圆沉积第三阶段中，通过各导气微孔（32）对处于旋转中的晶圆表面垂直输送反应气体，并完成最终均匀沉积。

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