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申请/专利权人：联华电子股份有限公司
摘要：本发明提供一种功率金属氧化物半导体场效晶体管及其制造方法。功率金属氧化物半导体场效晶体管包括衬底、基极区、掺杂区、漂移区、栅极结构、绝缘层、导电层、源极电极与漏极电极。基极区设置于衬底中且邻近衬底的第一表面。掺杂区设置于基极区中且邻近衬底的第一表面。漂移区设置于衬底中且位于基极区下方。栅极结构设置于衬底中且包括第一与第二部分。第一部分位于漂移区中。第二部分位于掺杂区、基极区与漂移区中。绝缘层设置于栅极结构与衬底之间。导电层围绕第二部分且位于绝缘层与衬底之间。源极电极设置于衬底的第一表面上且连接掺杂区。漏极电极设置于衬底的第二表面上。衬底、掺杂区以及漂移区具有第一导电型。基极区具有第二导电型。
主权项：1.一种功率金属氧化物半导体场效晶体管，其特征在于，包括：衬底，具有彼此相对的第一表面与第二表面；基极区，设置于所述衬底中，且邻近所述第一表面；掺杂区，设置于所述基极区中，且邻近所述第一表面；漂移区，设置于所述衬底中，且位于所述基极区下方；栅极结构，设置于所述衬底中，且包括第一部分与第二部分，其中所述第一部分位于所述漂移区中，且所述第二部分位于所述掺杂区、所述基极区与所述漂移区中；绝缘层，设置于所述栅极结构与所述衬底之间；导电层，围绕所述第二部分，且位于所述绝缘层与所述衬底之间；源极电极，设置于所述第一表面上，且连接所述掺杂区；以及漏极电极，设置于所述第二表面上，其中所述衬底、所述掺杂区以及所述漂移区具有第一导电型，且所述基极区具有第二导电型。
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百度查询： 联华电子股份有限公司 功率金属氧化物半导体场效晶体管及其制造方法
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