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申请/专利权人：铠侠股份有限公司
摘要：实施方式提供能够制造品质良好的半导体装置的半导体装置及半导体存储装置。实施方式的半导体装置具备：第一绝缘层；氧化物半导体，形成于所述第一绝缘层之中，沿第一方向延伸，具有第一端及第二端；第一电极，包含第一金属膜和第一导电膜，所述第一金属膜包含第一金属原子，所述第一导电膜形成于所述第一金属膜与所述第一端之间且包含金属氧化物；第二电极，与所述氧化物半导体的所述第二端相接；栅极电极，隔着绝缘膜而与所述氧化物半导体的所述第一端与所述第二端之间对置；以及第一结构体，在与所述第一方向相交的第二方向上与所述第一电极分离而形成，至少包含所述第一金属原子且不包含所述金属氧化物。
主权项：1.一种半导体装置，具备：第一绝缘层；氧化物半导体，形成于所述第一绝缘层之中，沿第一方向延伸，具有第一端及第二端；第一电极，包含第一金属膜和第一导电膜，所述第一金属膜包含第一金属原子，所述第一导电膜形成于所述第一金属膜与所述第一端之间且包含金属氧化物；第二电极，与所述氧化物半导体的所述第二端相接；栅极电极，隔着绝缘膜而与所述氧化物半导体的所述第一端与所述第二端之间对置；以及第一结构体，在与所述第一方向相交的第二方向上与所述第一电极分离而形成，至少包含所述第一金属原子且不包含所述金属氧化物。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 铠侠股份有限公司 半导体装置及半导体存储装置
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