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申请/专利权人：南京比昂芯科技有限公司
摘要：本发明公开了一种基于混合偏正态分布的芯片时序分布模型建模及记录方法，该建模方法在建模过程中使用两个偏正态分布，共七个模型参数来描述芯片时序分布中的不同分量，从而使得建模得到的芯片时序分布模型具有混合偏正态分布特性，具有更高的自由度，该记录方法通过使用由七个参数查找表构成的查找表组记录基于混合偏正态分布的芯片时序分布模型的参数，并设定模型参数调用规则，使在查找表组出现缺失时，也能够直接调用现有的LVF工业标准下的芯片时序分布模型的查找表组，正常实现参数调用；优点是建模方法得到的芯片时序分布模型能够精确表征时序分布的多正态分布现象及非对称现象，记录方法能够向下兼容，提高模型参数获取和载入成功率。
主权项：1.一种基于混合偏正态分布的芯片时序分布模型建模方法，其特征在于包括以下步骤：步骤1、构建如公式1所示的芯片时序分布模型的概率密度函数模型以及如公式2所示的偏正态分布的概率密度函数：fLVF2x|θ＝1-αfSNx|θ1+αfSNx|θ21 式1和2中，θ表示芯片时序分布模型的模型参数，θ＝θ1,θ2,α,θ1表示第一个偏正态分布的参数，θ1＝μ1,λ1,σ1,μ1表示第一个偏正态分布的平均值,σ1表示第一个偏正态分布的标准差,λ1表示第一个偏正态分布的偏度，θ2表示第二个偏正态分布的参数，θ2＝μ2,λ2,σ2,μ2表示第二个偏正态分布的平均值,λ2表示第二个偏正态分布的偏度,σ2表示第二个偏正态分布的标准差,α表示两个偏正态分布的权重系数，φ为正态分布的概率密度函数，Φ为正态分布的累积分布函数；fLVF2x|θ表示在模型参数θ下，输入为x时芯片时序分布模型的概率密度，fSNx|θj表示在参数为θj下，输入为x时的偏正态分布的概率密度，j＝1,2；步骤2、获取芯片的基础电路单元的n个时序数据，并采用n个时序数据构成其时序分布集合X，n为大于等于100的整数；步骤3、将时序分布集合X进行混合偏正态分布模型参数拟合处理，得到芯片时序分布模型的模型参数θ；步骤4、将步骤3得到的θ载入芯片时序分布模型的概率密度函数模型中，此时就得到基于混合偏正态分布的芯片时序分布模型。
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百度查询： 南京比昂芯科技有限公司 基于混合偏正态分布的芯片时序分布模型建模及记录方法
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