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申请/专利权人：铠侠股份有限公司
摘要：实施方式提供一种降低写入电流的磁性存储装置。实施方式的磁性存储装置具备：第1导电体层；以及第1磁阻效应元件及第2磁阻效应元件，分别在第1方向上延伸，且与第1导电体层相接并相互分开地设置。第1导电体层包含：第1部分，沿第1方向观察时，不与第1磁阻效应元件及第2磁阻效应元件的任一个重叠；第2部分，沿第1方向观察时，与第1磁阻效应元件的中央区域重叠；以及第3部分，沿第1方向观察时，与第1磁阻效应元件的边缘区域重叠。第1部分的电阻及第3部分的电阻低于第2部分的电阻。
主权项：1.一种磁性存储装置，具备：第1导电体层；以及第1磁阻效应元件及第2磁阻效应元件，分别在第1方向上延伸，且与所述第1导电体层相接并相互分开地设置；所述第1导电体层包含：第1部分，沿所述第1方向观察时，不与所述第1磁阻效应元件及所述第2磁阻效应元件的任一个重叠；第2部分，沿所述第1方向观察时，与所述第1磁阻效应元件的中央区域重叠；以及第3部分，沿所述第1方向观察时，与所述第1磁阻效应元件的边缘区域重叠；且所述第1部分的电阻及所述第3部分的电阻低于所述第2部分的电阻。
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