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申请/专利权人：株式会社电装;丰田自动车株式会社;未来瞻科技株式会社

摘要：在场效应晶体管中，沟槽下层配置于沟槽的下部。p型深层在从上侧观察半导体基板时沿着与沟槽交叉的第一方向延伸，且沿着与第一方向正交的第二方向隔开间隔地配置。漏极侧n型层从与体层的下表面相接的位置通过各p型深层之间的各间隔分布至比各p型深层的下端靠下侧的位置。漏极侧n型层具有高浓度层和中浓度层。高浓度层分布于存在各p型深层与各沟槽下层双方的深度范围的至少一部分。中浓度层分布于高浓度层的下端与各p型深层的下端之间的深度范围的至少一部分。

主权项：1.一种场效应晶体管，其特征在于，具有：半导体基板，在上表面设置有多个沟槽；栅极绝缘膜，覆盖各所述沟槽的内表面；栅极电极，配置在各所述沟槽内，通过所述栅极绝缘膜而与所述半导体基板绝缘；以及源极电极，与所述半导体基板的上表面相接，所述半导体基板具有：n型的源极层，与所述源极电极相接，在各所述沟槽的侧面与所述栅极绝缘膜相接；p型的体层，在比所述源极层靠下侧的位置与所述栅极绝缘膜相接；p型的多个沟槽下层；多个p型深层；以及漏极侧n型层，各所述沟槽下层配置于对应的所述沟槽的下部，在从上侧观察所述半导体基板时各所述沟槽下层沿着所述沟槽的长度方向延伸，与所述源极电极电连接，各所述p型深层配置于所述体层的下部，从比各所述沟槽下层的下端靠上侧的位置延伸至比各所述沟槽下层的下端靠下侧的位置，在从上侧观察所述半导体基板时，各所述p型深层沿着与所述沟槽交叉的第一方向延伸，与各所述沟槽下层交叉，在从上侧观察所述半导体基板时，各所述p型深层沿着与所述第一方向正交的第二方向隔开间隔地配置，与所述源极电极电连接，所述漏极侧n型层从与所述体层的下表面相接的位置通过各所述p型深层之间的各间隔分布至比各所述p型深层的下端靠下侧的位置，在比所述体层靠下侧的位置与所述栅极绝缘膜相接，所述漏极侧n型层具有：n型的高浓度层；n型的中浓度层，配置在所述高浓度层的下部，具有比所述高浓度层低的n型杂质浓度；以及n型的漂移层，配置在所述中浓度层的下部，具有比所述中浓度层低的n型杂质浓度，所述高浓度层分布于存在各所述p型深层与各所述沟槽下层双方的深度范围的至少一部分，与各所述沟槽下层的侧面和各所述p型深层的侧面相接，所述中浓度层分布于所述高浓度层的下端与各所述p型深层的下端之间的深度范围的至少一部分，与各所述p型深层的侧面相接。

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