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申请/专利权人：硅晶体有限公司
摘要：本方法旨在用于至少一个SiC体积单晶2的热后处理，SiC体积单晶具有基本上圆柱形的基础形状、具有在轴向上测量的晶体长度、具有在径向上测量的晶体直径、具有在轴向延伸的晶体中心纵轴10，以及具有三个边界面，即底面11、顶面12和周向边缘面13。使SiC体积单晶2达到后处理温度，以减少完成先前生长之后存在于SiC体积单晶2中的机械应力，其中在SiC体积单晶2中设定具有径向热梯度的不均匀温度分布，其从晶体中心纵轴10到周向边缘面13连续增加，以及借助于三个边界面11、12、13中的至少两个上的自由热辐射，SiC体积单晶2与其周围的自由空间4进行热交换。
主权项：1.一种用于至少一个SiC体积单晶2的热后处理的方法，所述SiC体积单晶具有基本上圆柱形的基础形状，具有沿轴向测量的晶体长度，具有沿径向测量的晶体直径，具有沿轴向延伸的晶体中心纵轴10，以及具有三个边界面，即底面11、顶面12和周向边缘面13，其中a使SiC体积单晶2达到后处理温度，以减少在完成先前生长之后的SiC体积单晶2中存在的机械应力，其中b在SiC体积单晶2中设定具有径向热梯度的不均匀温度分布，其从所述晶体中心纵轴10向所述周向边缘面13连续增加，以及c借助于三个边界面11、12、13中的至少两个之上的自由热辐射，所述SiC体积单晶2与其周围的自由空间4进行热交换。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 硅晶体有限公司 用于至少一个SiC体积单晶的热后处理的方法和设备
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