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一种晶片连续剥离装置及晶片连续剥离方法 

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申请/专利权人:山东大学

摘要:本发明公开了一种晶片连续剥离装置及晶片连续剥离方法,包括如下步骤:采用超短脉冲激光在晶锭中形成多个剥离层,相邻剥离层之间的距离为晶片的厚度;将晶锭放置于提升平台上,调整提升平台的高度,使晶锭的最上方剥离层与夹爪的上表面平齐,然后夹爪夹紧晶锭;采用超声部件对晶锭的上表面施加超声,剥离层在超声作用下开裂,将晶片从晶锭上剥离,利用真空吸附部件将晶片从晶锭上移出,进行后续处理;松开夹爪,调整提升平台的高度,采用相同的方法制备后续的晶片。采用该方法可以实现晶片的连续制备,有效提高了晶片的制备效率。

主权项:1.一种晶片连续剥离装置,其特征在于:包括工作基台、夹爪、超声部件和真空吸附部件;其中,所述工作基台包括提升平台,提升平台相对工作基台可旋转、可上下移动设置;夹爪套合设置于提升平台的外侧,夹爪闭合时形成中空圆柱体;被激光按照设定路线扫描,形成多层剥离层的晶锭被夹爪固定于提升平台上;夹爪可随提升平台一同旋转;超声部件设置于夹爪的上方;真空吸附部件设置于夹爪的上方,用于将形成的晶片移出。

全文数据:

权利要求:

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