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含埋藏界面缺陷的钝化钙钛矿太阳能电池及改性钙钛矿太阳能电池 

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申请/专利权人:三峡大学

摘要:本发明涉及一种通过羧甲基葡聚糖钠盐CMD改善电子传输与钙钛矿层之间埋藏界面缺陷的方法及其在太阳能电池中的应用,属于钙钛矿太阳能电池制备技术领域。本研究通过将CMD掺入二氧化锡SnO2胶体分散体中,开发了一种简单的策略来修饰SnO2钙钛矿埋藏界面。CMD的加入可以提高SnO2的电子性能,减少非辐射复合,有效地减少埋藏界面处氧化锡和钙钛矿的缺陷,使得器件能够形成合适的能级排列,从而大大提高钙钛矿太阳能电池的性能。因此,CMD处理的钙钛矿太阳能电池器件效率从23.54%提高到24.74%,且填充因子FF高达84.89%,可忽略不计的迟滞效应。本研究为实现钙钛矿太阳能电池的高效率和稳定性提供了一种低成本、简便、高效的策略。

主权项:1.一种含埋藏界面缺陷的钝化钙钛矿太阳能电池,其特征在于,包括在该钙钛矿太阳能电池的电子传输层二氧化锡中引入羧甲基葡聚糖钠盐从而实现埋藏界面缺陷,得到改性电极。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 三峡大学 含埋藏界面缺陷的钝化钙钛矿太阳能电池及改性钙钛矿太阳能电池

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