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申请/专利权人：株式会社村田制作所
摘要：本发明提供了集成器件和制造集成器件的方法，该集成器件包括：基板101；在基板上方的金属屏障层102；包括阳极氧化金属104的多孔区域的层ML，多孔区域包括多个基本上直的孔105，这些孔105从多孔区域的顶表面垂直于多孔区域的顶表面朝向金属屏障层延伸以便到达金属屏障层的；其中，多孔区域包括由外围孔包围的通向金属屏障层的孔的区，外围孔在其底端处由金属屏障的氧化物封堵物封堵；多孔区域还包括在其底端被金属屏障的氧化物封堵物封堵的孔的岛，和或在其底端被金属屏障的氧化物封堵物封堵的孔的突起。
主权项：1.一种集成器件，包括：基板101，在所述基板上方的金属屏障层102；包括阳极氧化金属104的多孔区域的层ML，所述多孔区域包括多个基本上直的孔105，所述孔105从所述多孔区域的顶表面垂直于所述多孔区域的顶表面朝向所述金属屏障层延伸以到达所述金属屏障层，其中，所述多孔区域包括被外围孔包围的通向所述金属屏障层的孔的区，所述外围孔在其底端被所述金属屏障的氧化物封堵物封堵，所述多孔区域还包括：在其底端处由所述金属屏障的氧化物封堵物封堵的孔的岛，所述岛被通向所述金属屏障层的孔的区中的孔包围，和或在其底端处由所述金属屏障的氧化物封堵物封堵的孔的突起，所述突起从所述外围孔朝向通向所述金属屏障层的孔的区的内部延伸。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 株式会社村田制作所 集成器件和制造集成器件的方法
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