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申请/专利权人：海信家电集团股份有限公司

摘要：本发明公开了一种半导体器件的制造方法和半导体器件，半导体器件的制造方法包括：制备半导体基板；在半导体基板上设置第一绝缘层；在第一绝缘层中刻蚀出第一接触孔；在第一接触孔底部形成硅化钛层，在第一绝缘层中刻蚀出第二接触孔，第二接触孔位于第一接触孔第二方向的两侧；在第二接触孔中设置第二绝缘层，在第一接触孔中设置钨膜和氮化钛膜。由此，通过在第一接触孔第二方向的两侧刻蚀出第二接触孔，并且在第二接触孔中设置第二绝缘层，这样使第二绝缘层将硅化钛层与半导体基板隔开，可以保证在第一接触孔中设置的氮化钛膜的完整性，从而可以有效防止钨向半导体基板中扩散。

主权项：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：制备半导体基板1，其中，半导体基板1具有第一主面101及与第一主面101相反侧的第二主面，所述第一主面101和所述第二主面在第一方向上相互间隔；在所述半导体基板1中设置多个沟槽2，其中，所述沟槽2的深度从所述第一主面101朝向第二主面延伸设且与所述第二主面相互间隔，多个所述沟槽2在第二方向上间隔设置，所述第一方向和所述第二方向相互垂直；在所述半导体基板1上设置第一绝缘层3；在所述第一绝缘层3中刻蚀出第一接触孔401，其中，所述第一接触孔401位于相邻两个所述沟槽2之间，所述第一接触孔401的深度从所述第一绝缘层3远离所述第一主面101的一侧朝向第一方向延伸，所述第一接触孔401贯穿所述第一绝缘层3且底部从所述第一主面101伸入所述半导体基板1中；在所述第一接触孔401底部形成硅化钛层5，其中，所述硅化钛层5第二方向的两端凸出于所述第一接触孔401且位于所述第一绝缘层3朝向所述第一主面101的一侧；在所述第一绝缘层3中刻蚀出第二接触孔402，所述第二接触孔402位于所述第一接触孔401第二方向的两侧且与所述第一接触孔401对应连通，所述第二接触孔402的深度从所述第一绝缘层3远离所述第一主面101的一侧朝向第一方向延伸，所述第一接触孔401贯穿所述第一绝缘层3且底部从所述第一主面101伸入所述半导体基板1中，所述第二接触孔402的底部相对所述硅化钛层5朝向所述第二主面的一侧凸出设置；在所述第二接触孔402中设置第二绝缘层6，在所述第一接触孔401中设置氮化钛膜8，在所述第一接触孔401中设置钨膜7，其中，所述氮化钛膜8部分地位于所述钨膜7和所述硅化钛层5之间，所述氮化钛膜8部分地位于所述钨膜7和两侧的所述第二绝缘层6之间；在所述第一绝缘层3远离所述第一主面101的一侧设置电极层9，其中，所述电极层9与所述钨膜7和所述氮化钛膜8相接触。

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