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申请/专利权人：宁波韵升股份有限公司;宁波韵升磁体元件技术有限公司
摘要：本发明公开了一种低涡流损耗的钕铁硼磁体的制造工艺，通过在钕铁硼磁体的每个扩散面处设置交替分布的包覆区和非包覆区，并在每个包覆区采用含有重稀土元素和高电阻率化合物的扩散剂形成包覆层后，采用热处理工艺进行扩散处理，使每个包覆区处的扩散剂进行扩散进入钕铁硼磁体内部，形成具有电阻高低起伏分布结构的扩散磁体；优点是在实现钕铁硼磁体电阻率提升的同时，不但能够使钕铁硼磁体矫顽力得到提升，而且加工工艺较为简单，易于量产。
主权项：1.一种低涡流损耗的钕铁硼磁体的制造工艺，其特征在于通过在钕铁硼磁体的每个扩散面处设置交替分布的包覆区和非包覆区，并在每个包覆区采用含有重稀土元素和高电阻率化合物的扩散剂形成包覆层后，采用热处理工艺进行扩散处理，使每个包覆区处的扩散剂进行扩散进入钕铁硼磁体内部，形成具有电阻高低起伏分布结构的扩散磁体。
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权利要求：
百度查询： 宁波韵升股份有限公司 宁波韵升磁体元件技术有限公司 一种低涡流损耗的钕铁硼磁体的制造工艺
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