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申请/专利权人：电子科技大学
摘要：本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有多面沟道的鳍式非对称沟槽碳化硅MOSFET器件。本发明采用在纵向上排布鳍式槽栅与JFET区，增加了多面沟道，没有增加器件元胞的横向面积，并且增加了P‑base区的体积，在传统结构的基础上进一步加强了P区的电场屏蔽效果，增强了耐压能力。本发明保留了非对称沟槽结构的同时增加了器件的沟道密度，起到了增强沟槽型碳化硅MOSFET的电场屏蔽能力的同时优化了其正向导通特性。
主权项：1.一种具有多面沟道的鳍式非对称沟槽碳化硅MOSFET器件，包括自下而上依次层叠设置的金属漏电极1、N型半导体衬底2、N型外延层3和N型JFET区4；其特征在于，在N型JFET区4上层左右两侧均具有P型屏蔽区5，且位于右侧的P型屏蔽区5的横向宽度大于位于左侧的P型屏蔽区5的横向宽度；在左右两侧的P型屏蔽区5之间具有重叠设置的P型阱区6和N+型源区9，其中N+型源区9位于P型阱区6的上表面且N+型源区9的上表面与P型屏蔽区5的上表面齐平，而P型阱区6的下表面结深小于P型屏蔽区5的下表面结深，同时P型阱区6和N+型源区9的右侧嵌入右侧的P型屏蔽区5上层，即P型阱区6和N+型源区9的右端被右侧的P型屏蔽区5包覆；在P型阱区6和N+型源区9中具有鳍式栅极沟槽10，所述鳍式栅极沟槽10由沿器件纵向方向间隔分布的多个栅极构成，构成鳍式栅极沟槽10的每一部分栅极均由栅氧化层7和位于栅氧化层7中的多晶硅栅8构成，同时每一部分栅极的栅氧化层7四周被P型阱区6和N+型源区9所包围，而栅氧化层7的下表面结深大于P型阱区6的下表面结深但是小于P型屏蔽区5的下表面结深，同时鳍式栅极沟槽10的右侧下部超出P型阱区6下表面的部分嵌入P型屏蔽区5中，对应的剩余鳍式栅极沟槽10的左侧部分则嵌入在N型JFET区4中；鳍式栅极沟槽10的横向宽度小于P型阱区6和N+型源区9的横向宽度，在鳍式栅极沟槽10上表面两侧的N+型源区9上表面和P型屏蔽区5上表面具有源极欧姆接触电极11。
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权利要求：
百度查询： 电子科技大学 一种具有多面沟道的鳍式非对称沟槽碳化硅MOSFET器件
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