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申请/专利权人：武汉华星光电技术有限公司
摘要：本申请实施例公开了一种阵列基板以及显示面板，本申请实施例的阵列基板包括薄膜晶体管，薄膜晶体管的栅极绝缘层包括第一部和第二部，第一部覆盖边缘部，第二部覆盖主体部；薄膜晶体管为N型薄膜晶体管，第一部具有的正电荷的数量少于第二部具有的正电荷的数量；或者薄膜晶体管为P型薄膜晶体管，第一部具有的负电荷的数量少于第二部具有的负电荷的数量。本申请实施例设置栅极绝缘层的第一部的电荷量小于第二部的电荷量，当薄膜晶体管开启时由于第一部的电荷量较少，使得在相同的栅极电压下，使得具有边缘部的边缘薄膜晶体管和具有主体部的主体薄膜晶体管的阈值电压的差值消除，从而改善薄膜晶体管驼峰效应的效果。
主权项：1.一种阵列基板，其特征在于，包括：基板；以及薄膜晶体管，设置在所述基板上，所述薄膜晶体管包括有源层、栅极绝缘层、栅极、源极和漏极，所述有源层包括沟道、第一接触部和第二接触部，所述沟道包括主体部和边缘部，所述边缘部具有小于90度的坡度角，所述栅极绝缘层覆盖所述有源层远离所述基板的一侧，所述栅极绝缘层包括相连的第一部和第二部，所述第一部覆盖所述边缘部，所述第二部覆盖所述主体部；所述栅极设置于所述栅极绝缘层远离所述基板的一侧，所述源极连接于所述第一接触部，所述漏极连接于所述第二接触部；在所述阵列基板的平面视图中，一所述边缘部位于所述主体部的一侧；其中，所述薄膜晶体管为N型薄膜晶体管，所述第一部具有的正电荷的数量少于所述第二部具有的正电荷的数量；或者所述薄膜晶体管为P型薄膜晶体管，所述第一部具有的负电荷的数量少于所述第二部具有的负电荷的数量。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板以及显示面板
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