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申请/专利权人：芯联集成电路制造股份有限公司
摘要：本申请公开了一种半导体器件及其制备方法，制备方法包括：提供第一晶圆，在第一晶圆上的第一键合面上形成第一金属密封环，第一金属密封环的外侧具有间隔设置的至少三个第一凹槽；提供第二晶圆，在第二晶圆上的第二键合面上形成与第一金属密封环形状匹配的第二金属密封环，第二金属密封环的外侧具有间隔设置的至少三个第二凹槽；通过隔片间隔第一晶圆和第二晶圆，并通过固定件对第一晶圆和第二晶圆进行固定；将第一晶圆、第二晶圆、固定件和隔片整体放入键合腔室中，控制腔室达到预设的真空度和气体氛围，并对第一金属密封环和第二金属密封环预热；移除隔片，将第一金属密封环和第二金属密封环键合。根据本申请的技术方案，能实现更好的键合效果。
主权项：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：提供第一晶圆，在所述第一晶圆上的第一键合面上形成第一金属密封环，其中，所述第一金属密封环的外侧具有间隔设置的至少三个第一凹槽；提供第二晶圆，在所述第二晶圆上的第二键合面上形成与所述第一金属密封环形状匹配的第二金属密封环，其中，所述第二金属密封环的外侧具有间隔设置的至少三个第二凹槽；通过隔片间隔所述第一晶圆和所述第二晶圆，并通过固定件对所述第一晶圆和所述第二晶圆进行固定，其中，所述隔片至少有三个，所述隔片均部分地位于第一凹槽和所述第二凹槽中，且所述隔片的两侧均分别与所述第一键合面和所述第二键合面抵接；将所述第一晶圆、所述第二晶圆、所述固定件和所述隔片整体放入键合腔室中，控制所述腔室达到预设的真空度和气体氛围，并对所述第一金属密封环和所述第二金属密封环预热；移除所述隔片，将所述第一金属密封环和所述第二金属密封环键合。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 芯联集成电路制造股份有限公司 半导体器件及其制备方法
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