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半导体装置及高频开关 

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申请/专利权人:株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社

摘要:本发明的实施方式涉及半导体装置及高频开关。半导体装置具备半导体基板、电路元件、第一布线层和元件保护构件。电路元件形成在半导体基板的上表面侧,且至少具有一个开关元件。第一布线层具有与电路元件电连接的多个第一布线,隔着第一层间绝缘膜设置在所述半导体基板的上方。元件保护构件在电路元件的周围沿着上表面延伸而构成,且由导电性的构件形成为不连续地包围电路元件的周围。第一布线层内的第一布线间的第一布线绝缘膜由相对介电常数为3.5以上的氧化绝缘膜构成。

主权项:1.一种半导体装置,其特征在于,具备:半导体基板;电路元件,其形成在所述半导体基板的上表面侧,至少具有一个开关元件;第一布线层,其具有与所述电路元件电连接的多个第一布线,隔着第一层间绝缘膜设置在所述半导体基板的上方;以及元件保护构件,其在所述电路元件的周围沿着所述上表面延伸而构成,且由导电性的构件不连续地包围所述电路元件的周围,所述多个第一布线之间的第一布线绝缘膜由相对介电常数为3.5以上的氧化绝缘膜构成。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 株式会社东芝 东芝电子元件及存储装置株式会社 半导体装置及高频开关

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