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申请/专利权人：上海朗矽科技有限公司
摘要：本发明公开了一种可重复编程的存储器单元、控制方法及非易失性存储器。所述可重复编程的存储器单元包括：衬底；P‑导电类型阱和N‑导电类型阱，位于所述衬底中；以及第一浮置栅极，位于所述P‑导电类型阱和所述N‑导电类型阱之上；第二浮置栅极，位于所述P‑导电类型阱和所述N‑导电类型阱之上；所述第一浮置栅极和所述第二浮置栅极彼此相互隔离；通过第一字线控制栅控制第一浮置栅极的电压，第二字线控制栅控制第二浮置栅极的电压，每个浮置栅极在读取或编程操作时都不会影响到另一浮置栅极，由此在一个存储单元内实现两个比特位信息的存储，相当于记录密度提高了一倍；工序更少，降低了芯片的制造成本。
主权项：1.一种可重复编程的存储器单元，其特征在于，所述可重复编程的存储器单元包括：衬底；P-导电类型阱和N-导电类型阱，位于所述衬底中；以及第一浮置栅极，位于所述P-导电类型阱和所述N-导电类型阱之上；第二浮置栅极，位于所述P-导电类型阱和所述N-导电类型阱之上；所述第一浮置栅极和所述第二浮置栅极彼此相互隔离；所述可重复编程的存储器单元用于通过向所述第一浮置栅极和或所述第二浮置栅极注入热电子来进行编程并且通过对所述第一浮置栅极和或所述第二浮置栅极移出热电子来进行擦除。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海朗矽科技有限公司 可重复编程的存储器单元、控制方法及非易失性存储器
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