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一种进气管的清洗方法及半导体工艺设备 

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申请/专利权人:北京北方华创微电子装备有限公司

摘要:本申请公开了一种进气管的清洗方法及半导体工艺设备,进气管作为等离子体发生腔,并用于向工艺腔室通入等离子体以对晶圆进行工艺,清洗方法包括:在每完成预设数量的晶圆的工艺后,向进气管通入第一清洗气体,并加载射频功率以激发第一清洗气体;控制进气管内的气压在第一预设压力维持第一预设时间,以及在第二预设压力维持第二预设时间,第一预设压力与第二预设压力的比值大于等于6且小于等于14,第一预设时间与第二预设时间的比值大于等于0.5且小于等于2。本申请通过对进气管进行批次间清洗,可以对杂质颗粒进行清洗,避免产生花状缺陷,由于析晶得到及时清洗,不需要经常停机更换进气管,延长了进气管的寿命,成本降低,提高了生产率。

主权项:1.一种进气管的清洗方法,其特征在于,所述进气管作为等离子体发生腔,并用于向工艺腔室通入等离子体以对晶圆进行工艺,所述清洗方法包括批次间清洗步骤,所述批次间清洗步骤包括:在每完成预设数量的晶圆的工艺后,向所述进气管通入第一清洗气体,并加载射频功率以激发所述第一清洗气体;控制所述进气管内的气压在第一预设压力维持第一预设时间,以及在第二预设压力维持第二预设时间,所述第一预设压力与所述第二预设压力的比值大于等于6且小于等于14,所述第一预设时间与所述第二预设时间的比值大于等于0.5且小于等于2。

全文数据:

权利要求:

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