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申请/专利权人：长电集成电路(绍兴)有限公司
摘要：本发明涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。半导体结构的制备方法包括：提供基板，基板的顶面键合有布线层，布线层远离基板的一侧倒装有器件层；于布线层远离基板的表面形成填充层，填充层包覆器件层的外表面；去除部分基板，以形成支撑结构；支撑结构内具有多个通孔，通孔暴露出布线层靠近基板的部分表面；于多个通孔内形成多个凸台结构，凸台结构与布线层电连接；凸台结构的厚度小于支撑结构的厚度；去除部分填充层以形成包封层，包封层包覆器件层的侧表面，并暴露出器件层远离基板的表面。上述半导体结构的制备方法能够有效避免倒装封装工艺中的结构翘曲。
主权项：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供基板，所述基板的顶面键合有布线层，所述布线层远离所述基板的一侧倒装有器件层；于所述布线层远离所述基板的表面形成填充层，所述填充层包覆所述器件层的外表面；去除部分所述基板，以形成支撑结构；所述支撑结构内具有多个通孔，所述通孔暴露出所述布线层靠近所述基板的部分表面；于所述多个通孔内形成多个凸台结构，所述凸台结构与所述布线层电连接；所述凸台结构的厚度小于所述支撑结构的厚度；去除部分所述填充层以形成包封层，所述包封层包覆所述器件层的侧表面，并暴露出所述器件层远离所述基板的表面。
全文数据：
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百度查询： 长电集成电路(绍兴)有限公司 半导体结构的制备方法及半导体结构
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