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申请/专利权人：扬州国宇电子有限公司
摘要：本发明公开了半导体功率器件技术领域内的一种沟槽MOS二极管及其制备方法。该沟槽MOS二极管包括由下至上的衬底、外延层以及外延层上的跑道版图结构，跑道版图结构包括多个依次套设的环形沟槽，多个环形沟槽间隔设置且沟槽宽度由内向外逐级增加，多个环形沟槽的沟槽深度也由内向外逐级增加。该沟槽MOS二极管的多个环形沟槽形成类跑道版图，跑道版图的沟槽排布有效的避免了沟槽相互交叠，避免了槽底部电场叠加造成的提前击穿，以及降低了交叠处热量的堆积，增加了器件在使用过程中的可靠性；同时有效的减少了柱面效应和曲率效应的影响，增加了芯片的耐压上限。
主权项：1.一种沟槽MOS二极管，其特征在于：包括由下至上的衬底、外延层以及外延层上的跑道版图结构，所述跑道版图结构包括多个依次套设的环形沟槽，多个所述环形沟槽间隔设置且沟槽宽度由内向外逐级增加，多个所述环形沟槽的沟槽深度也由内向外逐级增加。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 扬州国宇电子有限公司 一种沟槽MOS二极管及其制备方法
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