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申请/专利权人：西北工业大学深圳研究院;西北工业大学
摘要：本发明属于光子集成芯片技术领域，具体涉及可突破衍射极限的片上波导、光子集成芯片及制备方法。本发明波导结构横截面从下到上依次为基底层、二维石墨烯‑氮化硼层、高折射率的圆柱波导和低折射率上覆盖层。圆柱波导沉积在二维石墨烯‑氮化硼层表面上，二维石墨烯‑氮化硼层沉积在基底上。通过二维石墨烯‑氮化硼和圆柱波导模式的有效耦合，所设计的波导将模式能量限制性能突破到深亚波长尺度。通过调整几何参数，即使波导之间的中心距离达到纳米级，相邻波导间的能量串扰仍可实现完全抑制。本发明方法简单成本低，可显著提高基于波导的片上信息系统的集成度。
主权项：1.可突破衍射极限的片上波导，其特征在于：包括基底层、位于所述基底层上的二维石墨烯-氮化硼层、位于所述二维石墨烯-氮化硼层上的圆柱波导、位于所述二维石墨烯-氮化硼层上并包覆所述圆柱波导的上覆盖层；所述圆柱波导的折射率大于所述上覆盖层的折射率。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西北工业大学深圳研究院 西北工业大学 可突破衍射极限的片上波导、光子集成芯片及制备方法
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