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申请/专利权人：深圳三环电子有限公司
摘要：本发明公开了一种复合电介质层和多层陶瓷电容器，所述复合电介质层包括电介质A区域和电介质B区域；所述电介质B区域位于两个电介质A区域之间；所述电介质A区域和电介质B区域中均含有主成分和副成分，所述主成分包括ABO3型钙钛矿材料；所述副成分包括稀土金属化合物、缺陷补偿添加剂、助烧剂；所述电介质A区域中的副成分还包括晶粒抑制剂；所述电介质B区域的副成分中还含有或不含有晶粒抑制剂。本发明复合电介质层中电介质A区域中的副成分含量高，晶粒粒径小，可以提高复合电介质层的可靠性；电介质B区域中的副成分的含量低，晶粒粒径较大，可以提高复合电介质层的介电常数。
主权项：1.一种复合电介质层，其特征在于：包括电介质A区域和电介质B区域；所述电介质B区域位于两个电介质A区域之间；所述电介质A区域和电介质B区域中均含有主成分和副成分，所述主成分包括ABO3型钙钛矿材料；所述副成分包括稀土金属化合物、缺陷补偿添加剂、助烧剂；所述电介质A区域中的副成分还包括晶粒抑制剂；所述电介质B区域的副成分中还含有或不含有晶粒抑制剂；所述电介质B区域中的副成分与所述电介质A区域中的副成分的总摩尔比为0.2～0.5：1；所述电介质B区域中的稀土金属与所述电介质A区域中稀土金属的摩尔比为0.1～0.25：1；所述电介质B区域中的晶粒抑制剂与所述电介质A区域中的晶粒抑制剂的摩尔比为0～0.1：1；所述电介质B区域的厚度与所述复合电介质层的厚度的比值为0.5～0.9：1；所述电介质B区域中晶粒的平均粒径不小于所述电介质A区域中晶粒平均粒径的两倍。
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权利要求：
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