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申请/专利权人：南京大学;合肥国家实验室
摘要：本发明提供了一种4H‑SiC雪崩光电探测器及其制备方法，涉及半导体紫外雪崩光电探测器技术领域。该4H‑SiC雪崩光电探测器中的外延台面结构以所述外延台面结构在晶向上的最宽处中垂线为界面，位于所述界面两侧的外延台面结构在晶向上的平均宽度不相等，形成一种在晶向上具有非中心对称的外延台面结构，以减小载流子屏蔽区域，进一步增大器件有效的雪崩面积，提升器件的单光子探测性能。
主权项：1.一种4H-SiC雪崩光电探测器，其特征在于，所述4H-SiC雪崩光电探测器包括：衬底；位于所述衬底一侧的外延层结构；所述外延层结构远离所述衬底一侧的部分结构作为外延台面结构；其中，所述外延台面结构中以所述外延台面结构在晶向上的最宽处中垂线为界面，位于所述界面两侧的外延台面结构在晶向上的平均宽度不相等。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京大学 合肥国家实验室 一种4H-SiC雪崩光电探测器及其制备方法
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