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申请/专利权人：浙江晶诚新材料有限公司
摘要：本发明涉及一种碳化硅涂层石墨基座及其制备方法与应用，该碳化硅涂层石墨基座的制备方法，包括以下步骤：将含硅粉体以及石墨基座置于反应容器中，含硅粉体选自SiO粉体或Si粉中的一种；对反应容器进行抽真空处理，向反应容器中通入CO气体并加热，CO气体与含硅粉体挥发形成的含硅气体进行化学气相反应，在石墨基座表面形成碳化硅涂层，其中，向反应容器中通入CO气体并加热的步骤中，反应容器的温度大于1400℃，CO气体的流量小于800sccm。该碳化硅涂层石墨基座的制备方法能够很好的提高碳化硅涂层的致密性以及在石墨基座中的嵌入深度。
主权项：1.一种碳化硅涂层石墨基座的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将含硅粉体以及石墨基座置于反应容器中，所述含硅粉体选自SiO粉体或Si粉中的一种；对所述反应容器进行抽真空处理，向所述反应容器中通入CO气体并加热，所述CO气体与所述含硅粉体挥发形成的含硅气体进行化学气相反应，在所述石墨基座表面形成碳化硅涂层，其中，向所述反应容器中通入CO气体并加热的步骤中，所述反应容器的温度大于1400℃，所述CO气体的流量小于800sccm。
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