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申请/专利权人：武汉光迅科技股份有限公司
摘要：本发明公开了一种基于BPSG掺杂SiO2薄膜的优化方法及芯片，方法包括采取PECVD设备进行工艺制备，获取第一预设硼磷掺杂比例、气体浓度，以及工艺条件下的BPSG薄膜沉积厚度；创建平面应变模型，将沿着波导厚度沉积方向的热应变限制为零，并利用平面应变模型获取波导厚度沉积方向的热应变所产生的热应力；变换材料沿着波导厚度沉积方向的热膨胀系数，消除波导厚度沉积方向的热应变所产生的热应力，并利用平面应变模型计算出BPSG薄膜沉积的实际厚度。本发明考虑热应力对平面应变模型的影响并进行优化，消除优化后的平面应变模型沿波导厚度沉积方向的热应力，通过优化后的平面应变模型预测的薄膜沉积厚度尺寸更小，有效的降低芯片的尺寸，降低芯片成本。
主权项：1.一种基于BPSG掺杂SiO2薄膜的优化方法，其特征在于，包括：采取PECVD设备进行工艺制备，获取第一预设硼磷掺杂比例、气体浓度，以及工艺条件下的BPSG薄膜沉积厚度；创建平面应变模型，将沿着波导厚度沉积方向的热应变限制为零，并利用平面应变模型获取波导厚度沉积方向的热应变所产生的热应力；变换材料沿着波导厚度沉积方向的热膨胀系数，消除波导厚度沉积方向的热应变所产生的热应力，并利用平面应变模型计算出BPSG薄膜沉积的实际厚度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉光迅科技股份有限公司 一种基于BPSG掺杂SiO2薄膜的优化方法及芯片
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