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申请/专利权人：上海韦尔半导体股份有限公司
摘要：本申请实施例提供了一种快恢复二极管的制备方法及快恢复二极管，本发明实施例在有源区采用多晶硅结构既能降低局部区域P型的浓度来降低发射效率从而控制少子寿命，又能够增大PN结的面积，在提高快恢复二极管的快恢复能力的同时又能得到较低的正向压降。
主权项：1.一种快恢复二极管的制备方法，其特征在于，所述方法包括：在所述衬底正面的保护环区形成间隔设置的厚氧化层，其中，所述衬底为第一掺杂类型；在所述衬底正面依次生长栅氧化层和沉积多晶硅，在所述栅氧化层上表面形成间隔设置的多晶硅；在所述衬底的保护环区和有源区形成具有第二掺杂类型的阱区；在所述衬底的保护环区形成具有第一掺杂类型的第一注入区；在所述阱区中形成具有第二掺杂类型的第二注入区；在所述衬底正面形成间隔设置的介质层；在所述第二注入区形成具有第二掺杂类型的第三注入区，其中，所述第三注入区的结深大于第二注入区的结深，所述第三注入区的注入浓度小于第二注入区的注入浓度；在所述介质层之间及介质层上方沉积第一金属层，对所述保护环区的第一金属层进行光刻和刻蚀以便在所述保护环区形成间隔设置的第一金属层；在所述保护环区的第一金属层之间及上方形成钝化层；在所述衬底背面沉积第二金属层。
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权利要求：
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