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申请/专利权人：爱思开海力士有限公司
摘要：本申请涉及半导体存储器装置和制造半导体存储器装置的方法。一种半导体存储器装置包括栅极层叠物、第一数据存储段和第二数据存储段。栅极层叠物包括面向相反的方向的第一凹部和第二凹部。第一数据存储段和第二数据存储段与第一凹部和第二凹部对应。
主权项：1.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：栅极层叠物，该栅极层叠物包括第一凹部和第二凹部，所述第一凹部和所述第二凹部在几何平面上基于直线面向相反的方向；绝缘柱，该绝缘柱具有第一凸部和第二凸部，所述第一凸部面向所述栅极层叠物的所述第一凹部，所述第二凸部面向所述栅极层叠物的所述第二凹部；第一沟道段，该第一沟道段沿着所述绝缘柱的所述第一凸部延伸；第二沟道段，该第二沟道段沿着所述绝缘柱的所述第二凸部延伸；沟道分离结构，该沟道分离结构从所述绝缘柱延伸到所述第一沟道段的端部和所述第二沟道段的端部之间；第一数据存储段，该第一数据存储段位于所述第一沟道段和所述栅极层叠物的所述第一凹部之间；以及第二数据存储段，该第二数据存储段位于所述第二沟道段和所述栅极层叠物的所述第二凹部之间，其中，所述第一数据存储段和所述第二数据存储段中的每一个的宽度随着所述第一数据存储段和所述第二数据存储段中的每一个靠近所述沟道分离结构而变窄。
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权利要求：
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