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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：提供了一种具有极性相关阈值电压偏移特性的自选择存储器件和或包括该自选择存储器件的存储装置。该存储器件包括第一电极、远离并面对第一电极的第二电极、以及在第一电极和第二电极之间的存储层。存储层具有双向阈值开关特性，并且被配置为使得存储层的阈值电压随着存储层中的活性陷阱的密度改变而改变，阈值电压根据施加到存储层的偏压的极性和强度而改变。此外，元素成分分布被配置为响应于存储层的阈值电压改变而在存储层中保持恒定。
主权项：1.一种存储器件，包括：第一电极；第二电极，与所述第一电极分开并面对所述第一电极；以及在所述第一电极和所述第二电极之间的存储层，其中所述存储层具有双向阈值开关特性，所述存储层被配置为使得所述存储层的阈值电压随着所述存储层中的活性陷阱的密度改变而改变，所述阈值电压根据施加到所述存储层的偏压的极性和强度而改变，以及元素成分分布被配置为响应于所述存储层的所述阈值电压被改变而在所述存储层中保持恒定。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 自选择存储器件和包括其的存储装置
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