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申请/专利权人：电子科技大学
摘要：本发明属于二维材料制备技术领域，公开了一种以单晶铜镍箔为基底2～10层层数可控大尺寸单晶石墨烯的制备方法，通过电化学镀镍经过热处理后制备CuNi111基底，并利用化学气相沉积法在基底上制备出高质量的2～10层石墨烯。本发明通过简单改变基底中的镍含量即可实现多层石墨烯薄膜层数控制，且生长的薄膜层数均匀，不同区域内的层数保持一致，可控性较好，实现了单晶石墨烯薄膜的层数可控制备；解决了目前多层石墨烯制备过程中层数不可控、制作成本较高、单晶尺寸小的问题。
主权项：1.一种以单晶铜镍箔为基底2～10层层数可控大尺寸单晶石墨烯的制备方法，其特征在于，包括：1制备大面积单晶CuNi111合金；2合成2～10层AB堆垛的大尺寸单晶石墨烯；所述制备大面积单晶CuNi111合金的方法具体包括以下步骤：A商用铜箔经过高温热处理制备单晶Cu111箔；B利用电镀法在单晶Cu111箔两侧均匀镀镍；C将镀镍后的铜片在惰性气体和还原性气体混合气氛下，在1000～1070℃进行常压温退火5～7小时，快速冷却至室温，获得单晶CuNi111合金；所述合成2～10层AB堆垛的大尺寸单晶石墨烯的方法具体包括以下步骤：a将单晶CuNi111合金基底置于化学气相沉积设备中；b将单晶CuNi111合金基底在惰性气体和还原性气体混合气氛下，快速升温至1000～1080℃；c通入碳源，利用化学气相沉积法在基底上制备石墨烯；d生长结束后，将样品快速冷却至室温，在600℃时停止通入碳源和还原气体，以惰性气体为保护气。
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百度查询： 电子科技大学 以单晶铜镍箔为基底层数可控单晶石墨烯的制备方法
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