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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
摘要：本发明提供一种增强金属互联层间介质可靠性的方法，获取金属间介质击穿电压和通孔金属线间距的关系；获取所需器件的金属间介质的目标击穿电压；根据目标击穿电压获取目标通孔金属线间距；调整所需器件版图中通孔的尺寸，使其满足目标通孔金属线间距；在所需器件的制造工艺中，利用刻蚀调整其通孔底部的关键尺寸，使得通孔接触电阻满足目标值。本发明能够基于金属间介质击穿电压和通孔金属间距的关系，减小通孔的胀大幅度来控制经过光刻和刻蚀后形成的通孔与上层相邻金属间的距离，本发明形成的后段金属互联具有更强的金属间介质层击穿鲁棒性和更长的金属层间介质可靠性寿命。
主权项：1.一种增强金属互联层间介质可靠性的方法，其特征在于，至少包括：步骤一、获取金属间介质击穿电压和通孔金属线间距的关系；步骤二、获取所需器件的金属间介质的目标击穿电压；步骤三、根据目标击穿电压获取目标通孔金属线间距；步骤四、调整所需器件版图中通孔的尺寸，使其满足目标通孔金属线间距；步骤五、在所需器件的制造工艺中，利用刻蚀调整其通孔底部的关键尺寸，使得通孔接触电阻满足目标值。
全文数据：
权利要求：
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