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申请/专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
摘要：本发明公开了一种可产生高能脉冲的半导体激光器及半导体激光器系统。半导体激光器包括：谐振腔、设置于谐振腔中的第一类半导体增益区、可饱和吸收区和隔离区；第一类半导体增益区用于提供增益，第一类半导体增益区的增益谱宽小于50nm；可饱和吸收区用于激光的可饱和吸收；隔离区置于第一类半导体增益区与可饱和吸收区之间；第一类半导体增益区提供的窄谱增益与可饱和吸收区产生的吸收在时域达到平衡时，半导体激光器产生脉冲输出。第一类半导体增益区的窄谱增益能减少锁定纵模数量，从而降低可饱和吸收区对光场的吸收调制幅度，导致脉冲合并，形成脉宽更宽的光脉冲，获得高能量脉冲输出。本发明实施例提供的半导体激光器结构简单，稳定性高。
主权项：1.一种可产生高能脉冲的半导体激光器，其特征在于，包括：谐振腔、设置于所述谐振腔中的第一类半导体增益区、可饱和吸收区和隔离区；所述第一类半导体增益区用于提供增益，所述第一类半导体增益区的增益谱宽小于50nm；所述可饱和吸收区用于激光的可饱和吸收；所述隔离区置于所述第一类半导体增益区与所述可饱和吸收区之间；所述第一类半导体增益区提供的窄谱增益与所述可饱和吸收区产生的吸收在时域达到平衡时，半导体激光器产生脉冲输出。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 一种可产生高能脉冲的半导体激光器及半导体激光器系统
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