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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
摘要：本申请公开了一种小间距光电器件的低损伤离子注入方法，涉及半导体技术，包括如下步骤：在光电器件表面生长金属掩膜层；基于生长的金属掩膜层，进行光刻，以形成刻蚀接触孔的光刻胶掩膜图形；执行刻蚀，以刻蚀出所需深度的接触孔；利用离子注入设备，对刻蚀的接触孔直接进行离子注入；去除离子注入后器件表面的光刻胶掩膜以及损伤；退火，以激活注入离子，完成工艺。本申请的方法能够实现低损伤离子注入，降低大面阵、小间距器件光刻接触孔和光刻注入区两步工艺间的套刻难度，避免工艺步骤间套刻偏差引起的器件性能降低。
主权项：1.一种小间距光电器件的低损伤离子注入方法，其特征在于，包括如下步骤：在光电器件表面生长金属掩膜层；基于生长的金属掩膜层，进行光刻，以形成刻蚀接触孔的光刻胶掩膜图形；执行刻蚀，以刻蚀出所需深度的接触孔；利用离子注入设备，对刻蚀的接触孔直接进行离子注入；去除离子注入后器件表面的光刻胶掩膜以及损伤；退火，以激活注入离子，完成工艺。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第十一研究所 一种小间距光电器件的低损伤离子注入方法
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