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申请/专利权人：山西中科潞安紫外光电科技有限公司;中北大学
摘要：本发明属于深紫外芯片技术领域，具体涉及一种提高出光效率的深紫外芯片结构及其制备方法，制备方法包括下列步骤：在衬底上制备外延片结构；制备第一台面和第二台面；在第一台面制备第一电极，在第一电极上制备第一电流扩展层；在半导体导电层P‑GaN层上制备第二电极，在第二电极上制备第二电流扩展层；在外延片结构上制备透明介质层；将透明介质层采用干法刻蚀刻蚀粗化图形或者湿法刻蚀的方式进行粗化；在第一电极和第二电极上面制备钝化层；在钝化层制备通孔，在通孔上面制备金锡合金的焊盘电极。本发明通过折射率渐变及表面粗化改善了侧壁的全反射造成的能量损失，有效提高芯片的外量子效率。
主权项：1.一种提高出光效率的深紫外芯片结构的制备方法，其特征在于，包括下列步骤：S1、在衬底（1）上依次制备AlN缓冲层（2）、半导体导电层N-AlGaN层（3）、有源层量子阱层（4）、半导体导电层P-GaN层（5），形成外延片结构；S2、在外延片结构的一侧，刻蚀外延片结构至半导体导电层N-AlGaN层（3），形成第一台面；S3、在外延片结构的另一侧，刻蚀外延片结构至AlN缓冲层（2），形成第二台面；S4、在第一台面制备第一电极（6），在第一电极（6）上制备第一电流扩展层；S5、在半导体导电层P-GaN层（5）上制备第二电极（7），在第二电极（7）上制备第二电流扩展层；S6、在刻蚀有第一台面和第二台面的外延片结构上制备透明介质层（8）；S7、将制备完成的透明介质层（8）采用干法刻蚀刻蚀粗化图形或者湿法刻蚀的方式进行粗化，使得透明介质层（8）表面形成各种凸起或者凹陷的图形，降低光线出射产生全反射；S8、在第一电极（6）和第二电极（7）上面制备钝化层（9）；S9、在钝化层（9）制备通孔，在通孔上面制备金锡合金的焊盘电极（10），得到深紫外芯片结构（33）。
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