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申请/专利权人：艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司
摘要：本发明涉及微型半导体发光二极管LED结构10，其包括：第一导电类型的第一半导体层1；布置在第一半导体层1上的第二导电类型的第二半导体层2；有源层序列4，其包括面向第一半导体层1的第一导电类型的第一边缘层41和背离第一半导体层1的第二导电类型的第二边缘层42；以及至少布置在有源层序列4上的第二导电类型的第三半导体层3。第一导电类型和第二导电类型具有相反的掺杂。第二半导体层2具有至少一个朝向第一半导体层1穿透第二半导体层2的窗口21。第一半导体层1在窗口21的区域中具有凹部11。有源层序列4至少布置在凹部11中。第一边缘层41在凹部11中电连接至第一半导体层1。第三半导体层3至少在窗口21的区域中布置在有源层序列4上。第二边缘层42电连接至第三半导体层3。本发明还涉及用于制造这样的微型半导体发光二极管结构的方法。
主权项：1.一种微型半导体LED结构10，包括：-第一导电类型的第一半导体层1，-第二导电类型的第二半导体层2，其布置在所述第一半导体层1上，-有源层序列4，其包括面向所述第一半导体层1的第一导电类型的第一边缘层41和背离所述第一半导体层1的第二导电类型的第二边缘层42，-第二导电类型的第三半导体层3，其至少布置在所述有源层序列4上，其中，-所述第一导电类型和所述第二导电类型具有相反的掺杂，-所述第二半导体层2具有至少一个窗口21，所述窗口21从所述第二半导体层2的背离所述第一半导体层1的一侧朝向所述第一半导体层1穿透所述第二半导体层2，-所述第一半导体层1在所述窗口21的区域中具有凹部11，-所述有源层序列4至少布置在所述凹部11中，-所述凹部11中的第一边缘层41导电地连接至所述第一半导体层1，-所述第三半导体层3至少在所述窗口21的区域中布置在所述有源层序列4上，并且-所述第二边缘层42导电地连接至所述第三半导体层3。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司 微型半导体发光二极管结构及其制造方法
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