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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：公开补偿电路和用于管理补偿电路中的曲率补偿的方法，所述补偿电路包括：OPAMP，具有连接到第一电阻器的一端与第一PMOS晶体管的漏极之间的节点的输入。第五PMOS晶体管包括连接到第二NMOS晶体管的漏极和第六PMOS晶体管的栅极的漏极。第二NMOS晶体管的栅极连接到第四PMOS晶体管的漏极与第三电阻器的一端之间的节点。第六PMOS晶体管包括连接到第五电阻器的一端的漏极，并且第五电阻器的另一端连接到第三NMOS晶体管的栅极与第四NMOS晶体管的栅极之间的节点。第七PMOS晶体管包括连接到第二电阻器的另一端与第三二极管之间的节点的漏极。
主权项：1.一种补偿电路，包括：运算放大器OPAMP、第一P沟道金属氧化物半导体PMOS晶体管至第七PMOS晶体管、第一N沟道金属氧化物半导体NMOS晶体管至第四NMOS晶体管、第一二极管至第三二极管、第一电阻器至第三电阻器以及第五电阻器，其中，OPAMP包括连接到第一电阻器的一端与第一PMOS晶体管的漏极之间的节点的第一输入，以及连接到第二二极管与第二PMOS晶体管的漏极之间的节点的第二输入，第三PMOS晶体管包括连接到第二电阻器的第一端的漏极，其中，第二电阻器的第二端连接到第三二极管，第四PMOS晶体管包括连接到第三电阻器的一端的漏极，其中，第三电阻器的另一端连接到第一NMOS晶体管的漏极和第一NMOS晶体管的栅极，第五PMOS晶体管包括连接到第二NMOS晶体管的漏极和第六PMOS晶体管的栅极的漏极，其中，第二NMOS晶体管的栅极连接到第四PMOS晶体管的漏极与第三电阻器的所述一端之间的节点，第六PMOS晶体管包括连接到第五电阻器的一端的漏极，其中，第五电阻器的另一端连接到第三NMOS晶体管的栅极与第四NMOS晶体管的栅极之间的节点，并且第七PMOS晶体管包括连接到第二电阻器的第二端与第三二极管之间的节点的漏极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 补偿电路和用于管理补偿电路中的曲率补偿的方法
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