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申请/专利权人：张江国家实验室
摘要：本发明的可重构物理不可克隆电路包括多个阻变存储器单元，阻变存储器单元具有第一选通晶体管、一端分别与第一选通晶体管的漏极连接的第一RRAM电阻、第二RRAM电阻；与第一RRAM电阻的另一端、第二RRAM电阻的另一端连接，通过使建立电流在第一RRAM电阻、第二RRAM电阻中流过来进行提取操作，以使第一RRAM电阻、第二RRAM电阻中的一个处于低阻态的提取模块；以及与第一RRAM电阻的另一端、第二RRAM电阻的另一端连接，通过检测被选中的阻变存储器单元中的第一RRAM电阻、第二RRAM电阻的阻态并产生与第一RRAM电阻、第二RRAM电阻的阻态对应的PUF数值来进行测量操作的测量模块。
主权项：1.一种可重构物理不可克隆电路，其特征在于，包括：多个阻变存储器单元101，所述阻变存储器单元101具有第一选通晶体管1011、第一RRAM电阻1013、第二RRAM电阻1015，所述第一RRAM电阻1013的一端、第二RRAM电阻1015的一端分别与所述第一选通晶体管1011的漏极连接；提取模块105，所述提取模块105与所述第一RRAM电阻1013的另一端、第二RRAM电阻1015的另一端连接，通过使建立电流在所述第一RRAM电阻1013、第二RRAM电阻1015中流过来进行提取操作，以使所述第一RRAM电阻1013、第二RRAM电阻1015中的一个处于低阻态；以及测量模块107，所述测量模块107与所述第一RRAM电阻1013的另一端、第二RRAM电阻1015的另一端连接，通过检测被选中的所述阻变存储器单元101中的所述第一RRAM电阻1013、第二RRAM电阻1015的阻态并产生与所述第一RRAM电阻1013、第二RRAM电阻1015的阻态对应的比较数值来进行测量操作，并将比较数值输入控制单元以产生PUF数值。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 张江国家实验室 可重构物理不可克隆电路及其控制方法
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