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申请/专利权人：中科芯磁科技(珠海)有限责任公司
摘要：本发明涉及FPGA中的MRAM技术领域，一种MRAM型FPGA的配置存储器内容清除方法及电路，包括：判断实时数据信号是否为自毁触发命令，若不为，则重新接收实时数据信号，若为，则生成自毁使能信号，根据自毁使能信号和电压生成规则，生成BL电压、SL电压及WL电压，将BL电压、SL电压及WL电压输入MRAM配置存储器内的MTJ单元，并根据BL电压、SL电压及WL电压对MRAM配置存储器执行内容清除。本发明可提高MRAM配置存储器中配置位流的数据安全性。
主权项：1.一种MRAM型FPGA的配置存储器内容清除方法，所述配置存储器为MRAM，其特征在于，所述方法包括：接收实时数据信号，判断所述实时数据信号是否为预设的自毁触发命令；若所述实时数据信号不为自毁触发命令，则返回上述接收实时数据信号的步骤；若所述实时数据信号为自毁触发命令，则生成自毁使能信号；根据所述自毁使能信号和预设的电压生成规则，生成BL电压、SL电压及WL电压；所述根据所述自毁使能信号和预设的电压生成规则，生成BL电压、SL电压及WL电压，包括：根据所述自毁使能信号生成写使能信号和写入数据信号；将所述写入数据信号输入预构建的电压控制模块电路中的非门，得到第一输出信号；将所述第一输出信号和写使能信号输入所述电压控制模块电路中的与门，得到第二输出信号；将所述第二输出信号及自毁使能信号输入所述电压控制模块电路中的或门，得到BL电压；将所述自毁使能信号输入所述电压控制模块电路中的非门，得到第三输出信号；将所述第三输出信号、写使能信号及写入数据信号输入所述电压控制模块电路中的与门，得到SL电压；将所述BL电压及SL电压输入所述电压控制模块电路中的或门，得到WL电压；将所述BL电压、SL电压及WL电压输入预构建的MRAM配置存储器内的MTJ单元，并根据所述BL电压、SL电压及WL电压对MRAM配置存储器执行内容清除。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中科芯磁科技(珠海)有限责任公司 MRAM型FPGA的配置存储器内容清除方法及电路
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