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申请/专利权人：北京智芯微电子科技有限公司;浙江大学
摘要：本发明涉及半导体技术领域，提供一种隔离芯片层间介质层的制造方法及隔离芯片。所述方法包括：采用脉冲式的等离子增强化学气相淀积方法，在金属层上生长低K介质材料形成第一层薄介质层；采用连续式的等离子增强化学气相淀积方法，采用高频与低频交替的射频频率，在第一层薄介质层表面生长低K介质材料形成第二层厚介质层；采用脉冲式的等离子增强化学气相淀积方法，在第二层厚介质层表面生长低K介质材料形成第三层薄介质层；第一层薄介质层、第二层厚介质层及第三层薄介质层构成隔离芯片层间介质层。本发明采用脉冲式沉积和连续性沉积的方式交替生长低K介质膜，克服了现有技术中隔离芯片层间介质层粘附性较差、应力过大的缺陷。
主权项：1.一种隔离芯片层间介质层的制造方法，其特征在于，包括：采用脉冲式的等离子增强化学气相淀积方法，在金属层上生长低K介质材料形成第一层薄介质层；采用连续式的等离子增强化学气相淀积方法，采用高频与低频交替的射频频率，在第一层薄介质层表面生长低K介质材料形成第二层厚介质层；采用脉冲式的等离子增强化学气相淀积方法，在第二层厚介质层表面生长低K介质材料形成第三层薄介质层；所述第一层薄介质层、第二层厚介质层及第三层薄介质层构成隔离芯片层间介质层；所述脉冲式的等离子增强化学气相淀积方法为：在等离子增强化学气相淀积过程中，通过控制用于通入反应源气体的阀门开关的开启和关闭的交替进行，以交替通入反应源气体，实现脉冲式淀积；所述连续式的等离子增强化学气相淀积方法为：在等离子增强化学气相淀积过程中连续通入反应源气体，同时对等离子增强化学气相淀积的射频频率进行高频与低频的多次交替切换，实现连续式淀积。
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