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申请/专利权人：中茵微电子(南京)有限公司
摘要：本发明提供一种基于Unit单元的去耦电容版图填充方法，涉及版图电容自动布局技术领域，本发明通过利用FinfetMOS电容和MOM电容共同叠加放置构成多种尺寸固定的组合单元，实现了对结构尺寸的统一化和规范化，能够方便在设计规则的约束下进行对版图的自动填充，免去了人工放置验证的麻烦，不仅减少了手动布局的时间，还能够提高布局的准确性和一致性，减少开发的周期和成本。
主权项：1.一种基于Unit单元的去耦电容版图填充方法，其特征在于，具体步骤包括：S1：基于两种不同电容，构建若干组不同尺寸的组合单元，并采集不同尺寸组合单元的容值；S2：采集版图中空置区块的尺寸，根据空置区块的尺寸和组合单元的尺寸生成多组填充方案；S3：计算每组填充方案对应的总容值，将总容值最大的一组方案作为最终的优化方案；S4：循环步骤S2~S3，完成对版图中多个空置区块的自动填充。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中茵微电子(南京)有限公司 一种基于Unit单元的去耦电容版图填充方法
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