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申请/专利权人：京东方华灿光电(浙江)有限公司
摘要：本公开提供了一种巨量转移方法及微型发光二极管，属于半导体制备技术领域。该巨量转移方法，包括：提供一辅助薄膜，辅助薄膜具有多个导向通道，导向通道贯穿辅助薄膜的相反两面，各导向通道相互间隔排布；将辅助薄膜贴敷在承接基板的承接面，使得导向通道与承接面的承接区域一一对应；将待转移晶圆的芯粒转经由导向通道转移至承接基板的一面。本公开能够提高巨量转移过程中的芯粒落点精度。
主权项：1.一种巨量转移方法，其特征在于，包括：提供一辅助薄膜10，所述辅助薄膜10具有多个导向通道110，所述导向通道110贯穿所述辅助薄膜10的相反两面，各所述导向通道110相互间隔排布；将所述辅助薄膜10贴敷在承接基板20的承接面210，使得所述导向通道110与所述承接面210的承接区域220一一对应；将待转移晶圆30的芯粒310转经由所述导向通道110转移至所述承接基板20的一面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 京东方华灿光电(浙江)有限公司 巨量转移方法及微型发光二极管
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