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申请/专利权人：京东方华灿光电(苏州)有限公司
摘要：本公开实施例提供了一种GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法，属于半导体技术领域。该制备方法包括：在GaN沟道层上形成势垒层；在势垒层上形成保护层，保护层的材料为III‑V族化合物；对保护层进行湿法氧化，得到氧化物钝化层。本公开实施例能提高GaN基HEMT的质量。
主权项：1.一种高电子迁移率晶体管的制备方法，其特征在于，包括：在GaN沟道层60上形成势垒层10；在所述势垒层10上形成保护层20，所述保护层20的材料为III-V族化合物；对所述保护层20进行湿法氧化，得到氧化物钝化层21。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 京东方华灿光电(苏州)有限公司 GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法
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